Número do Produto do Fabricante:
TSM1NB60CP ROG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM1NB60CP ROG-DG
Descrição:
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventário:
8702 Pcs Novo Original Em Estoque
12896941
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TSM1NB60CP ROG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
138 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
39W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252 (DPAK)
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
TSM1NB60
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TSM1NB60CP ROGCT-DG
TSM1NB60CP ROGDKR-DG
TSM1NB60CP ROGCT
TSM1NB60CPROGDKR
TSM1NB60CP ROGTR-DG
TSM1NB60CPROGCT
TSM1NB60CP ROGTR
TSM1NB60CPROGTR
TSM1NB60CP ROGDKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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